TK30E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TK30E06N1,S1X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
Fichas de dados:	TK30E06N1,S1X.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	90950 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do TK30E06N1,S1X

Modelo do Produto	TK30E06N1,S1X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N-CH 60V 43A TO-220	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	90950 pcs	Ficha de dados	TK30E06N1,S1X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-220
Série	U-MOSVIII-H	RDS ON (Max) @ Id, VGS	15 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)	53W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-220-3	Outros nomes	TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1S1X
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 30V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	60V
Descrição detalhada	N-Channel 60V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	43A (Ta)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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