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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modelo do Produto | TK31N60W5,S1VF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Quantidade Disponível | 12577 pcs | Ficha de dados | TK31N60W5,S1VF.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247 |
| Série | DTMOSIV | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 99 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 230W (Tc) | Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-247-3 | Outros nomes | TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF-ND TK31N60W5S1VF |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
| Descrição detalhada | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247 | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
| UPS | www.UPS.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
| TNT | www.TNT.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
