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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modelo do Produto | TK40A06N1,S4X | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Quantidade Disponível | 61492 pcs | Ficha de dados | TK40A06N1,S4X.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220SIS |
| Série | U-MOSVIII-H | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 10.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 30W (Tc) | Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | TK40A06N1,S4X(S TK40A06N1,S4X-ND TK40A06N1S4X |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 30V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição detalhada | N-Channel 60V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
| UPS | www.UPS.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
| TNT | www.TNT.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
