Modelo do Produto | 2SK3564(STA4,Q,M) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrição | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Quantidade Disponível | 44691 pcs | Ficha de dados | 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf |
Tensão - Teste | 700pF @ 25V | Tensão - Breakdown | TO-220SIS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V | Vgs (Max) | 10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Série | π-MOSIV |
Status de RoHS | Tube | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3A (Ta) |
Polarização | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de peça do fabricante | 2SK3564(STA4,Q,M) |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 10V | Tipo de IGBT | ±30V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 1mA | Característica FET | N-Channel |
Descrição expandida | N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - |
Descrição | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 900V |
Rácio de capacitância | 40W (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
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