STB10N60M2

STMicroelectronics

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	STB10N60M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Fichas de dados:	STB10N60M2.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	80205 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80205 pcs

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1000 pcs: $0.397

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Especificações do STB10N60M2

Modelo do Produto	STB10N60M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descrição	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	80205 pcs	Ficha de dados	STB10N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	D2PAK
Série	MDmesh™ II Plus	RDS ON (Max) @ Id, VGS	600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max)	85W (Tc)	Embalagem	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Outros nomes	497-14528-2 STB10N60M2-ND
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 100V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	600V
Descrição detalhada	N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	7.5A (Tc)
Número da peça base	STB10N60

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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