Modelo do Produto | PD20010-E | Fabricante | STMicroelectronics |
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Descrição | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Quantidade Disponível | 4540 pcs | Ficha de dados | PD20010-E.pdf |
Tensão - Teste | 13.6V | Tensão - M | 40V |
Tipo transistor | LDMOS | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Série | - | Potência | 10W |
Embalagem | Tube | Caixa / Gabinete | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Outros nomes | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E |
Fator de ruído | - |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Ganho | 11dB | Freqüência | 2GHz |
Descrição detalhada | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) | Potência nominal | 5A |
Atual - Teste | 150mA | Número da peça base | PD20010 |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
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DHL | www.DHL.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
UPS | www.UPS.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
TNT | www.TNT.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |