PD20010-E

STMicroelectronics

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	PD20010-E
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descrição do Produto	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Fichas de dados:	PD20010-E.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	4540 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4540 pcs

Preço de referência (em dólares americanos)

1 pcs: $6.382

50 pcs: $5.62

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Especificações do PD20010-E

Modelo do Produto	PD20010-E	Fabricante	STMicroelectronics
Descrição	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	4540 pcs	Ficha de dados	PD20010-E.pdf
Tensão - Teste	13.6V	Tensão - M	40V
Tipo transistor	LDMOS	Embalagem do dispositivo fornecedor	PowerSO-10RF (Formed Lead)
Série	-	Potência	10W
Embalagem	Tube	Caixa / Gabinete	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Outros nomes	497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E	Fator de ruído	-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	3 (168 Hours)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Ganho	11dB	Freqüência	2GHz
Descrição detalhada	RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)	Potência nominal	5A
Atual - Teste	150mA	Número da peça base	PD20010

Tipo de transporte
Depois das vendas
Fichas de dados

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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