APT34F100B2

Microsemi

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	APT34F100B2
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Fichas de dados:	1.APT34F100B2.pdf 2.APT34F100B2.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	4175 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4175 pcs

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30 pcs: $7.788

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Especificações do APT34F100B2

Modelo do Produto	APT34F100B2	Fabricante	Microsemi
Descrição	MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	4175 pcs	Ficha de dados	1.APT34F100B2.pdf 2.APT34F100B2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	T-MAX™ [B2]
Série	POWER MOS 8™	RDS ON (Max) @ Id, VGS	380 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1135W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-247-3 Variant	Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9835pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica FET	-	Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	1000V	Descrição detalhada	N-Channel 1000V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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