EMD5T2R

LAPIS Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	EMD5T2R
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Fichas de dados:	1.EMD5T2R.pdf 2.EMD5T2R.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	980629 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do EMD5T2R

Modelo do Produto	EMD5T2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descrição	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	980629 pcs	Ficha de dados	1.EMD5T2R.pdf 2.EMD5T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Embalagem do dispositivo fornecedor	EMT6
Série	-	Resistor - Base do Emissor (R2)	47 kOhms, 10 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms, 4.7 kOhms	Power - Max	150mW
Embalagem	Tape & Reel (TR)	Caixa / Gabinete	SOT-563, SOT-666
Outros nomes	EMD5T2RTR	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição	250MHz	Descrição detalhada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V	Atual - Collector Cutoff (Max)	500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)	100mA	Número da peça base	*MD5

Tipo de transporte
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