Modelo do Produto | GA10JT12-263 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
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Descrição | TRANS SJT 1200V 25A | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Quantidade Disponível | 4583 pcs | Ficha de dados | GA10JT12-263.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Embalagem do dispositivo fornecedor | - |
Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 120 mOhm @ 10A |
Dissipação de energia (Max) | 170W (Tc) | Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | - | Outros nomes | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V | Tipo FET | - |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | - |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200V | Descrição detalhada | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
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DHL | www.DHL.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
UPS | www.UPS.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |
TNT | www.TNT.com | A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país. |