SI4668DY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	SI4668DY-T1-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Fichas de dados:	SI4668DY-T1-E3.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	176661 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do SI4668DY-T1-E3

Modelo do Produto	SI4668DY-T1-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição	MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	176661 pcs	Ficha de dados	SI4668DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	8-SO
Série	TrenchFET®	RDS ON (Max) @ Id, VGS	10.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	Embalagem	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1654pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica FET	-	Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	25V	Descrição detalhada	N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	16.2A (Tc)

Tipo de transporte
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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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