DMN4800LSSL-13

Diodes Incorporated

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	DMN4800LSSL-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Fichas de dados:	DMN4800LSSL-13.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	156895 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do DMN4800LSSL-13

Modelo do Produto	DMN4800LSSL-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	156895 pcs	Ficha de dados	DMN4800LSSL-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	8-SO
Série	-	RDS ON (Max) @ Id, VGS	14 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.46W (Ta)	Embalagem	Original-Reel®
Caixa / Gabinete	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Outros nomes	DMN4800LSSL-13DIDKR
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4.5V, 10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	30V
Descrição detalhada	N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Tipo de transporte
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