SMUN5114DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	SMUN5114DW1T1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Fichas de dados:	SMUN5114DW1T1G.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	969907 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do SMUN5114DW1T1G

Modelo do Produto	SMUN5114DW1T1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição	TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	969907 pcs	Ficha de dados	SMUN5114DW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Embalagem do dispositivo fornecedor	SC-88/SC70-6/SOT-363
Série	-	Resistor - Base do Emissor (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Power - Max	187mW
Embalagem	Tape & Reel (TR)	Caixa / Gabinete	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes	SMUN5114DW1T1G-ND SMUN5114DW1T1GOSTR	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição	-	Descrição detalhada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V	Atual - Collector Cutoff (Max)	500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)	100mA	Número da peça base	MUN51**DW1T

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