FQB19N20CTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	FQB19N20CTM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Fichas de dados:	FQB19N20CTM.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	65904 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do FQB19N20CTM

Modelo do Produto	FQB19N20CTM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	65904 pcs	Ficha de dados	FQB19N20CTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Série	QFET®	RDS ON (Max) @ Id, VGS	170 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.13W (Ta), 139W (Tc)	Embalagem	Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Outros nomes	FQB19N20CTMCT
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	200V
Descrição detalhada	N-Channel 200V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
TNT	www.TNT.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.

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