JAN1N649-1

Microsemi Corporation

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	JAN1N649-1
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição do Produto	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Fichas de dados:	JAN1N649-1.pdf
Estado de RoHS	Contém chumbo / RoHS não conforme
Condição de estoque	3488 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3488 pcs

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Especificações do JAN1N649-1

Modelo do Produto	JAN1N649-1	Fabricante	Microsemi Corporation
Descrição	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Status sem chumbo / Status RoHS	Contém chumbo / RoHS não conforme
Quantidade Disponível	3488 pcs	Ficha de dados	JAN1N649-1.pdf
Tensão - Pico Reversa (Max)	Standard	Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se	400mA
Tensão - Breakdown	DO-35	Série	Military, MIL-PRF-19500/240
Status de RoHS	Bulk	Inversa de tempo de recuperação (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistência @ Se, F	-	Polarização	DO-204AH, DO-35, Axial
Outros nomes	1086-15995 1086-15995-MIL	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)	Número de peça do fabricante	JAN1N649-1
Descrição expandida	Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35	configuração de diodo	50nA @ 600V
Descrição	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Atual - dispersão reversa @ Vr	1V @ 400mA
Atual - rectificada média (Io) (por Diode)	600V	Capacitância @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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