DMNH10H028SPSQ-13

Diodes Incorporated

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	DMNH10H028SPSQ-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Fichas de dados:	DMNH10H028SPSQ-13.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	100791 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do DMNH10H028SPSQ-13

Modelo do Produto	DMNH10H028SPSQ-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descrição	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	100791 pcs	Ficha de dados	DMNH10H028SPSQ-13.pdf
Tensão - Teste	2245pF @ 50V	Tensão - Breakdown	PowerDI5060-8
VGS (th) (Max) @ Id	28 mOhm @ 20A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Série	-
Status de RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS ON (Max) @ Id, VGS	40A (Tc)
Polarização	8-PowerTDFN	Outros nomes	DMNH10H028SPSQ-13DITR
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)	Número de peça do fabricante	DMNH10H028SPSQ-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	36nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica FET	N-Channel
Descrição expandida	N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	-
Descrição	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	100V
Rácio de capacitância	1.6W (Ta)

Tipo de transporte
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