DMN10H120SFG-7

Diodes Incorporated

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	DMN10H120SFG-7
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Fichas de dados:	DMN10H120SFG-7.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	317439 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do DMN10H120SFG-7

Modelo do Produto	DMN10H120SFG-7	Fabricante	Diodes Incorporated
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	317439 pcs	Ficha de dados	DMN10H120SFG-7.pdf
Tensão - Teste	549pF @ 50V	Tensão - Breakdown	PowerDI3333-8
VGS (th) (Max) @ Id	110 mOhm @ 3.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Série	-
Status de RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS ON (Max) @ Id, VGS	3.8A (Ta)
Polarização	8-PowerWDFN	Outros nomes	DMN10H120SFG-7DITR
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)	Número de peça do fabricante	DMN10H120SFG-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10.6nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA	Característica FET	N-Channel
Descrição expandida	N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	-
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	100V
Rácio de capacitância	1W (Ta)

Tipo de transporte
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