TK50P03M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Fichas de dados:	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	86599 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do TK50P03M1(T6RSS-Q)

Modelo do Produto	TK50P03M1(T6RSS-Q)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	86599 pcs	Ficha de dados	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	DP
Série	U-MOSVI-H	RDS ON (Max) @ Id, VGS	7.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max)	47W (Tc)	Embalagem	Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Outros nomes	TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4.5V, 10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	30V
Descrição detalhada	N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)

Tipo de transporte
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