TK25N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TK25N60X,S1F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Fichas de dados:	TK25N60X,S1F.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	16607 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16607 pcs

Preço de referência (em dólares americanos)

1 pcs: $1.724

30 pcs: $1.385

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510 pcs: $1.022

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Especificações do TK25N60X,S1F

Modelo do Produto	TK25N60X,S1F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N-CH 600V 25A TO-247	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	16607 pcs	Ficha de dados	TK25N60X,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-247
Série	DTMOSIV-H	RDS ON (Max) @ Id, VGS	125 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	180W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-247-3	Outros nomes	TK25N60X,S1F(S TK25N60XS1F
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	600V
Descrição detalhada	N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
UPS	www.UPS.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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