TK20C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TK20C60W,S1VQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Fichas de dados:	TK20C60W,S1VQ.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	13497 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do TK20C60W,S1VQ

Modelo do Produto	TK20C60W,S1VQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	13497 pcs	Ficha de dados	TK20C60W,S1VQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	I2PAK
Série	DTMOSIV	RDS ON (Max) @ Id, VGS	155 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	165W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Outros nomes	TK20C60W,S1VQ(S TK20C60WS1VQ
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 300V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	600V
Descrição detalhada	N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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