SG2013J-883B

Microsemi

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	SG2013J-883B
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição do Produto	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Fichas de dados:	SG2013J-883B.pdf
Estado de RoHS	Contém chumbo / RoHS não conforme
Condição de estoque	1329 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do SG2013J-883B

Modelo do Produto	SG2013J-883B	Fabricante	Microsemi
Descrição	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP	Status sem chumbo / Status RoHS	Contém chumbo / RoHS não conforme
Quantidade Disponível	1329 pcs	Ficha de dados	SG2013J-883B.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	1.9V @ 600µA, 500mA
Tipo transistor	7 NPN Darlington	Embalagem do dispositivo fornecedor	16-CDIP
Série	-	Power - Max	-
Embalagem	Tube	Caixa / Gabinete	-
Outros nomes	1259-1108 1259-1108-MIL	Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequência - Transição	-
Descrição detalhada	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP	DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	900 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)	-	Atual - Collector (Ic) (Max)	600mA

Tipo de transporte
Depois das vendas
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