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APTGT75DA120D1G

MicrosemiMicrosemi
Microsemi
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Resumo do Produto

Número da peça: APTGT75DA120D1G
Fabricante / Marca: Microsemi
Descrição do Produto IGBT 1200V 110A 357W D1
Folhas de dados: APTGT75DA120D1G.pdf
Status de RoHs Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque 5238 pcs stock
Navio De Hong Kong
Caminho de embarque DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5238 pcs
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Especificações do APTGT75DA120D1G

Número da peça APTGT75DA120D1G Fabricante Microsemi
Descrição IGBT 1200V 110A 357W D1 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível 5238 pcs Ficha de dados APTGT75DA120D1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 1200V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Embalagem do dispositivo fornecedor D1 Série -
Power - Max 357W Caixa / Gabinete D1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor No
Tipo de montagem Chassis Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V
Entrada Standard Tipo de IGBT Trench Field Stop
Descrição detalhada IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 Atual - Collector Cutoff (Max) 4mA
Atual - Collector (Ic) (Max) 110A Configuração Single

envio

★ FRETE GRÁTIS VIA DHL / FEDEX / UPS SE QUANTIDADE DE ENCOMENDA ACIMA DE 1.000 USD.
(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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