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IPI12CN10N G

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
IPI12CN10N G Image
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Resumo do Produto

Número da peça: IPI12CN10N G
Fabricante / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição do Produto MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Folhas de dados: IPI12CN10N G.pdf
Status de RoHs Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque 6209 pcs stock
Navio De Hong Kong
Caminho de embarque DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 6209 pcs
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Especificações do IPI12CN10N G

Número da peça IPI12CN10N G Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível 6209 pcs Ficha de dados IPI12CN10N G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3
Série OptiMOS™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 12.9 mOhm @ 67A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc) Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Outros nomes IPI12CN10N G-ND
IPI12CN10NG
SP000208928
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4320pF @ 50V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição detalhada N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)

envio

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