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SIHU7N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Resumo do Produto

Número da peça: SIHU7N60E-GE3
Fabricante / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição do Produto MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Folhas de dados: SIHU7N60E-GE3.pdf
Status de RoHs Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque 114636 pcs stock
Navio De Hong Kong
Caminho de embarque DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 114636 pcs
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Especificações do SIHU7N60E-GE3

Número da peça SIHU7N60E-GE3 Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível 114636 pcs Ficha de dados SIHU7N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor I-PAK
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 78W (Tc) Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Outros nomes SIHU7N60EGE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole I-PAK Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

envio

★ FRETE GRÁTIS VIA DHL / FEDEX / UPS SE QUANTIDADE DE ENCOMENDA ACIMA DE 1.000 USD.
(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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