Modelo do Produto | TK65A10N1,S4X | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrição | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 | Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Quantidade Disponível | 30471 pcs | Ficha de dados | TK65A10N1,S4X.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220SIS |
Série | U-MOSVIII-H | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 45W (Tc) | Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X-ND TK65A10N1S4X |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
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