TK100L60W,VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TK100L60W,VQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Fichas de dados:	TK100L60W,VQ.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	2876 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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1 pcs: $12.602

10 pcs: $11.657

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Especificações do TK100L60W,VQ

Modelo do Produto	TK100L60W,VQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	2876 pcs	Ficha de dados	TK100L60W,VQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-3P(L)
Série	DTMOSIV	RDS ON (Max) @ Id, VGS	18 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	797W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-3PL	Outros nomes	TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 30V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	Super Junction
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	600V
Descrição detalhada	N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)

Tipo de transporte
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DHL	www.DHL.com	A partir de US $ 35,00 a taxa básica de envio depende da zona e do país.
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