SSM3J304T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	SSM3J304T(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Fichas de dados:	SSM3J304T(TE85L,F).pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque	157407 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do SSM3J304T(TE85L,F)

Modelo do Produto	SSM3J304T(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível	157407 pcs	Ficha de dados	SSM3J304T(TE85L,F).pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TSM
Série	U-MOSIII	RDS ON (Max) @ Id, VGS	127 mOhm @ 1A, 4V
Dissipação de energia (Max)	700mW (Ta)	Embalagem	Original-Reel®
Caixa / Gabinete	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Outros nomes	SSM3J304T(TE85LF)DKR
Temperatura de operação	150°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	335pF @ 10V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4V
Tipo FET	P-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	1.8V, 4V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	20V
Descrição detalhada	P-Channel 20V 2.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)

Tipo de transporte
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