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FDD3670

Fairchild/ON SemiconductorFairchild/ON Semiconductor
FDD3670 Image
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Resumo do Produto

Número da peça: FDD3670
Fabricante / Marca: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição do Produto MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Folhas de dados: FDD3670.pdf
Status de RoHs Sem chumbo / RoHS complacente
Condição de estoque 39135 pcs stock
Navio De Hong Kong
Caminho de embarque DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 39135 pcs
Preço de referência (em dólares americanos)
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Especificações do FDD3670

Número da peça FDD3670 Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / RoHS complacente
Quantidade Disponível 39135 pcs Ficha de dados FDD3670.pdf
Tensão - Teste 2490pF @ 50V Tensão - Breakdown TO-252
VGS (th) (Max) @ Id 32 mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (Max) 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Série PowerTrench®
Status de RoHS Digi-Reel® RDS ON (Max) @ Id, VGS 34A (Ta)
Polarização TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Outros nomes FDD3670DKR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited) Número de peça do fabricante FDD3670
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80nC @ 10V Tipo de IGBT ±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 4V @ 250µA Característica FET N-Channel
Descrição expandida N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 Escorra a tensão de fonte (Vdss) -
Descrição MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100V
Rácio de capacitância 3.8W (Ta), 83W (Tc)

envio

★ FRETE GRÁTIS VIA DHL / FEDEX / UPS SE QUANTIDADE DE ENCOMENDA ACIMA DE 1.000 USD.
(SOMENTE PARA Circuitos Integrados, Proteção de Circuitos, RF / IF e RFID, Optoeletrônica, Sensores, Transdutores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

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