Transistores - IGBTs - Single
Fabricantes Recomendados
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SGL160N60UFDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:IGBT 600V 160A 250W TO264
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FGA30T65SHD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
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FGA40S65SH
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:650V FS GEN3 TRENCH IGBT
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HGTG30N60B3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:IGBT 600V 60A 208W TO247
- STMicroelectronics
- - A STMicroelectronics é uma empresa global independente de semicondutores e líder no desenvolvimento e fornecimento de soluções de semicondutores em todo o espectro de aplicações de microeletrônica. Uma combinação incomparável de expertise em silício e sistemas, força de fabricação, p...Detalhes
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STGFW30V60DF
STMicroelectronics
Descrição:IGBT 600V 60A 58W TO-3PF
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STGP10NC60S
STMicroelectronics
Descrição:IGBT 600V 21A 62.5W TO220
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STGWA25S120DF3
STMicroelectronics
Descrição:IGBT 1200V 25A TO247-3L
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STGWT40H65FB
STMicroelectronics
Descrição:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Em 1º de abril de 1999, a Siemens Semiconductors se tornou a Infineon Technologies. Uma empresa dinâmica e mais flexível voltada para o sucesso no mundo competitivo e em constante mudança da microeletrônica. A Infineon é uma designer, fabricante e fornecedora global líder de uma ampla gama de...Detalhes
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AIKW50N65DF5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:IC DISCRETE 650V TO247-3
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IGZ100N65H5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
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IRG4PSC71UDPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:IGBT 600V 85A 350W SUPER247
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IKW08T120FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:IGBT 1200V 16A 70W TO247-3
- Renesas Electronics America
- - A Renesas Electronics America projeta e fabrica soluções de sistemas de semicondutores altamente integrados para os mercados automotivo, móvel e de PC / AV. Fundada em 1 de abril de 2003, como uma joint venture entre a Hitachi, Ltd. e a Mitsubishi Electric Corporation e sediada em Tóquio, Jap...Detalhes
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RJH1CV6DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Descrição:IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
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RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Descrição:IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
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Renesas Electronics America
Descrição:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
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RJH60D7DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Descrição:IGBT 600V 90A 300W TO3P
- Microsemi
- - A Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) oferece um portfólio abrangente de soluções de semicondutores e sistemas para os mercados aeroespacial e de defesa, comunicações, data center e industrial. Os produtos incluem circuitos integrados de sinais mistos analógicos de alta performance e endure...Detalhes
- IXYS Corporation
- - A IXYS Corporation oferece uma ampla linha de Semicondutores de Alta Potência, incluindo MOSFETs de Potência de baixa resistência, IGBTs de comutação ultrarrápida, FREDs (Fast Recovery Diodes), Módulos SCR e Diode, Pontes Retificadores e CIs de Interface de Potência. Detalhes
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IXXK200N65B4
IXYS Corporation
Descrição:IGBT 650V 370A 1150W TO264
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IXBF20N360
IXYS Corporation
Descrição:IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
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IXBX55N300
IXYS Corporation
Descrição:IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
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APT45GR65B
Microsemi
Descrição:IGBT 650V 92A 357W TO-247
APT70GR120L
Microsemi
Descrição:IGBT 1200V 160A 961W TO264
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi
Descrição:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
